bok
Digital-Forum Silver Master
salve ragazzi allora un amico mi ha dato delle ram una da 512mb e una da 1gb ddr1 400 le ho montate sulla mia scheda madre (asus p5p800) quella da 512mb funziona ma se avvio per es microsoft outlook mi da shermata blu invece quella da 1gb non mi fà avviare niente cosa significano questi due sintomi? le ram che ho già su io (1 da 1gb e una da 512mb) vi posto quello che mi scrive everest riguardo alle mie ram:
quella da 512mb samusng:
Elemento Valore
Proprietà modulo di memoria
Nome modulo Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Numero di serie F107C118h
Data di produzione Settimana 40 / 2005
Capacità modulo 512 MB (1 rank, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC3200 (200 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Caratteristiche modulo di memoria
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
Produttore
Nome società Samsung
Informazioni sul prodotto http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
quella da 1gb a-data:
Elemento Valore
Proprietà modulo di memoria
Nome modulo A-DATA DNGC1A16
Numero di serie Nessuno
Data di produzione Settimana 41 / 2007
Capacità modulo 1024 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC3200 (200 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Caratteristiche modulo di memoria
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
voelvo sapere se bastava cambiare qualche impostazione per far funzioanre queste ram o se non sono compatibili Grazie in anticipo
quella da 512mb samusng:
Elemento Valore
Proprietà modulo di memoria
Nome modulo Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Numero di serie F107C118h
Data di produzione Settimana 40 / 2005
Capacità modulo 512 MB (1 rank, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC3200 (200 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Caratteristiche modulo di memoria
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
Produttore
Nome società Samsung
Informazioni sul prodotto http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
quella da 1gb a-data:
Elemento Valore
Proprietà modulo di memoria
Nome modulo A-DATA DNGC1A16
Numero di serie Nessuno
Data di produzione Settimana 41 / 2007
Capacità modulo 1024 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC3200 (200 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Caratteristiche modulo di memoria
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
voelvo sapere se bastava cambiare qualche impostazione per far funzioanre queste ram o se non sono compatibili Grazie in anticipo
